Samsung startar massproduktion av första 16 GB LPDDR5 DRAM för nästa generations premium smartphones

0 Shares

Samsung meddelade idag att man har börjat massproduktion av branschens första 16-gigabyte (GB) LPDDR5 mobila DRAM-paket för nästa generations premium smartphones. Detta kommer efter den första 12 GB LPDDR5 DRAM-massproduktionen i juli 2019.

  • Erbjuder dataöverföring på 5500 megabit per sekund (Mb / s), ungefär 1,3 gånger snabbare än tidigare mobilminne (LPDDR4X, 4266Mb / s).
  • Består av åtta 12-gigabit (Gb) -chips och fyra 8Gb-chips som utrustar premium-smartphones med dubbelt så mycket DRAM-kapacitet som finns i många avancerade bärbara datorer och speldatorer idag
  • Jämfört med ett 8 GB LPDDR4X-paket ger den nya mobila DRAM mer än 20 procent energibesparingar samtidigt som den ger upp till dubbelt så stor kapacitet

”När Samsung fortsätter att utöka LPDDR5-mobil DRAM-produktion på sin Pyeongtaek-webbplats planerar företaget att massproducera 16Gb LPDDR5-produkter baserade på tredje generationens 10nm-klass (1z) procesteknik under andra halvåret i år, i linje med utveckling av en 6400Mb / s chipset, säger företaget.

Även om det inte nämns bör den senaste 16 GB LPDDR5 DRAM vara den som användes i Samsung Galaxy S20 Ultra som introducerades tidigare denna månad.

Samsung Mobile DRAM-tidslinje: produktion / massproduktion

Datum Kapacitet Mobil DRAM
Dec 2019 16 GB 10nm-klass 12Gb + 8Gb LPDDR5, 5500Mb / s
Sep 2019 12 GB (uMCP) 10nm-klass 24Gb LPDDR4X, 4266Mb / s
Juli 2019 12 GB 10nm-klass 12Gb LPDDR5, 5500Mb / s
Juni 2019 6 GB 10nm-klass 12Gb LPDDR5, 5500Mb / s
Februari 2019 12 GB 10nm-klass 16Gb LPDDR4X, 4266Mb / s
Jul 2018 8 GB 10nm-klass 16Gb LPDDR4X, 4266Mb / s
Apr 2018 8 GB
(utveckling)
10nm-klass 8Gb LPDDR5, 6400Mb / s
Sep 2016 8 GB 10nm-klass 16Gb LPDDR4X, 4266Mb / s
Aug 2015 6 GB 20nm 12Gb LPDDR4, 4266Mb / s
Dec 2014 4 GB 20nm 8Gb LPDDR4, 3200Mb / s
Sep 2014 3 GB 20nm 6Gb LPDDR3, 2133Mb / s
Nov 2013 3 GB 20nm-klass 6Gb LPDDR3, 2133Mb / s
Jul 2013 3 GB 20nm-klass 4Gb LPDDR3, 2133Mb / s
Apr 2013 2 GB 20nm-klass 6Gb LPDDR3, 2133Mb / s
Aug 2012 2 GB 30nm-klass 4Gb LPDDR3, 1600Mb / s
2011 1 / 2GB 30nm-klass 4Gb LPDDR2, 1066Mb / s
2010 512 MB 40nm-klass 2Gb MDDR, 400Mb / s
2009 256 MB 50 nm klass 1 GB MDDR, 400 MB / s

Källa

0 Shares